S530参数测试系统采用了成熟的源和测量技术，可满足工艺控制监测、工艺可靠性监测以及器件特性分析所需的全部直流和C-V测量。

主要特点:

• 针对各种产品混合的环境而优化设计，这种环境下的高度灵活性和测试规划的快速制定至关重要
• 可选择小电流和高电压系统配置
  – 小电流配置支持测量小电流特性，例如亚阈值漏流、栅极漏流等
  –高电压配置专门针对监测 GaN、SiC和 Si LDMOS 功率器件的工艺而优化设计
• 兼容常见的全自动探针台
• 脉冲产生、频率测量，以及低电压测量的仪器选件
• 接线引出（Cabled-out）测试仪配置最大限度地提高了探针台接口的灵活性，并扩展了电压量程
  –兼容吉时利的9139A型探针卡适配器
  –支持现有5英寸探针卡库的重用
• 久经考验的仪器技术确保在实验室和工厂环境下均可获得高测量准确度和重复性

针对高混合测试环境优化设计

S530参数测试系统针对必须面对各种器件和技术的生产和实验室环境优化设计，具有测试规划灵活性、自动测试功能、探针台集成以及测试数据管理能力。这些测试解决方案的设计凝聚了吉时利为客户提供各种各样的标准和定制参数测试系统的宝贵经验。

简单的软件迁移和高度的硬件重用

S530系统的设计加速和简化了系统启动过程，并实现了现有测试资源的最大重用。例如，控制这些系统的软件兼容很多新出和遗留的自动探针台，所以就省去了购买新设备的费用。此外，S530的接线引出（cabled-out）配置通常允许继续使用现有的探针卡库。多项可选的应用服务，能够帮助用户充分利用现有探针仪和探针卡投资的全部价值。吉时利还可帮助用户加快开发新的测试配置，或将现有测试配置转换用于S530系统。

半导体行业强大的标准参数测试系统

提供两种不同的系统配置，能够满足不同的参数测试应用环境。S530小电流系统可配置2至8路源测量单元（SMU）通道，具有亚皮安级测量分辨率，并为探针卡提供了全面的小电流保护，使其非常适合于亚微米MOS硅工艺的特性分析。S530高电压系统可配置3至7路SMU通道，能够源出高达1000V的电压，可用于汽车电子和功率管理器件所需的各种击穿和漏流测试。

全部S530系列系统都配备有大功率SMU，在200V和20V量程均可提供高达20W源出或吸入能力，这种功率水平对于当今移动设备中普遍存在的大功率器件及电路的完整特性分析至关重要。无论是测试LDMOS Si 还是GaN BJT的应用，这种大功率能力都提供了对器件性能的更大可见性。这意味着S530系统既可应对大功率器件测试，又不会影响监测主流器件工艺所需的小电流亚皮安灵敏度。相比之下，竞争参数测试系统却受限于中等功率的2W SMU仪器，因此不能与S530系统的应用范围相提并论。

完全开尔文标准配置

由于接口电缆和通路上电压降的原因，往往高于几个毫安的电流就会导致测量 误差，为预防这种测量完整性的下降，小电流和高电压S530系统在探针卡均提供了完全开尔文测量配置（也称为远端电压检测）。完全开尔文测量对于确保S530系统中大功率SMU仪器的20W能力的测量准确度尤其重要。

强大的高电压参数测试系统

S530高电压半导体参数测试系统是能够在多达24个引脚上实现完全开尔文高电 压性能的参数测试仪，这种能力对于当今高功率器件的特性分析来说是无价之宝。系 统采用了可源出1000V@20mA（最大20W） 的高电压SMU。利用两个高电压通路，可进行直接高边电流测量（采用单个SMU源出和测量DUT的高边）或更高灵敏度低边小电流测量（采用一个SMU源出高电压至DUT的高边，另一个SMU用于低边0V并测量电流）。

系统架构

每套S530系统配置由5层组成：

• 仪器层 – 除了SMU仪器，S530还提供脉冲产生或进行C-V测量、频率测量，或低电压测量的选件。
• 通路层 - S530系统提供高保真度信号通路，测试期间可动态重新配置，使任何仪器均可连接至任何引脚或引脚组。
• 电缆接口层 - 全部系统互连均采用完全屏蔽和保护的三轴低漏流、高电压电缆，确保更高的测量完整性。
• 探针卡适配器 （PCA）层 - 该层提高了探针卡的屏蔽和保护，确保测量完整性。此外，PCA为需要直接连接探针卡及必须旁路信号通路开关矩阵的仪器提供了辅助输入。
• 探针卡层 - 该层包括探针卡供应商提供的定制卡。

信号通路

每套S530测试系统的核心是一组通过系统开关，直接连接仪器和测试引脚之间 信号的高保真度信号通路。S530具有8条高保真度通路，可用于动态连接仪器和引脚。例如，同时可将最多8个SMU仪器连接至任意引脚（或多个引脚）。S530小电流系统采用开关矩阵，在全部8条通路上提供一致的性能。S530高压系统采用带特定通路的开关矩阵，提供高电压/小漏流测量，以及C-V测量。请参阅7174A型和 7072-HV数据表获取有关信号通路的更多细节。