第三代半导体的胜利法则——器件的评价与选择篇 |
作者:admin 来源:原创 发布日期:2022-10-18 13:23:04 点击次数:350 |
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第三代半导体的胜利法则
从第三代半导体器件的评价与选择、原型板设计验证到至最终产品验证,我们为您整合了一套全流程测试方案的电子书,本期先从器件与选择的角度出发,为大家带来第三代半导体器件胜利法则的自我认知篇。
自我认知
近年来中国功率芯片国产化替代成为主流,将第三代半导体器件推上了风口浪尖。作为新一代的半导体材料,如何保证国产化替代的顺利实施?第一条就是器件自身的特性与所具备的功能性分析。
自身特性认知 静态参数分析
静态参数测试方案用于标定功率器件指标,验证产品指标是否一致,为产品的可靠性提供强大支持。 例如,开发和使用MOSFET、IGBT、二极管及其他大功率器件,需要进行器件级的静态参数测量,如击穿电压、通态电流和电容测量,并不断优化开关状态下的电气性能。
泰克提供▶▶▶ ▪ 功率器件静态参数测试系统2600-PCT 方案优势▶▶▶ 完整的解决方案,超高性价比
▪ 可现场升级和重新配置,将PCT转换成可靠性或晶片分类测试仪 ▪ 可配置功率电平:200V至3kV、1A至100A ▪ 宽动态范围:µV至3kV、fA至100A ▪ 全量程容-电压 (C-V) 能力:fF至µF ▪ 支持 2、3和4端器件、高达3kV DC偏移 ▪ 高性能测试夹具支持一系列软件包类型 ▪ 探头测试台接口支持多种常见的探头类型 自身功能认知 动态参数分析
如何保证选用的高速功率器件能稳定可靠地运行在自己的电源产品设计中,我们需要了解功率器件的动态特性。 例如,器件在不同温度下的特性、短路特性和短路关断、栅极驱动特性、关断时过电压特性、二极管恢复特性、开关损耗测试等。 泰克提供▶▶▶ ▪ SiC MOS动态参数测试系统DPT1000A ▪ SiC 模块动态参数测试系统EDISON 方案优势▶▶▶ 高效率,高精度,安全,操作方便,用户可以订制话服务
▪ 一次测试可自动获取30余项功率器件测试关键参数 ▪ 测试主回路杂感低至10nH ▪ 共模抑制比高达120dB ▪ 测试方案完全符合IEC 60747 9国际标准 |下期预告| 下期将为大家带来第三代半导体功率器件原型板设计验证的胜利法则,涉及三相电机驱动设计验证、纹波测试、环路响应测试等等,敬请期待! 欲知更多产品和应用详情,您还可以通过如下方式联系我们: 邮箱:htd_sd@163.com 网址:http://htd17.com 电话:0531-88950687(周一至周五8:30-17:30) Tektronix将您的灵感变为现实 我们提供专业的测量洞见信息,旨在帮助您提高绩效以及将各种可能性转化为现实。 |
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